功率半导体IGBT测试机单管|模块检测设备

详情描述：

PMST系列功率半导体IGBT测试机单管|模块检测设备，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级高精度源表到kA级、10kV源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。详询一八一四零六六三四七六

系统特点
高电压：支持高达3.5KV高电压测试（蕞大扩展至12kV）；     
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；

 
系统参数
                                                                                                                                                                     
项目
参数
集电极-发射极
蕞大电压
3500V(可拓展至12KV)
蕞大电流
1000A(可拓展至6000A)
准确度
?0.1%
大电压上升沿
典型值5ms
大电流上升沿
典型值15μs
大电流脉宽
50μs~500μs
漏电流测试量程
1nA~100mA
栅极-发射极
蕞大电压
300V
蕞大电流
1A(直流)/10A(脉冲)
准确度
?0.05%
蕞小电压分辨率
30μV
蕞小电流分辨率
10pA
电容测试
典型精度
?0.5%
频率范围
10Hz~1MHz
电容值范围
0.01pF~9.9999F
温控
范围
25℃~200℃
准确度
?2℃

 
 

 
测试项目
 
 
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO